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华轩阳电子专注为数码产品、消费类电器、5G通信、汽车新能源、医疗设备等领域客户提供高性能功率器件解决方案。我们致力于为中国芯片崛起而努力,提供可靠、经济实惠的产品,助力客户实现本土器件替代进口的目标。 产品范围涵盖:MOSFET、ESD、LDO、二极管、三极管、IGBT以及电源芯片等多种功率器件。特别推荐我们的碳化硅MOSFET和碳化硅二极管,具备卓越的性能和可靠性,适用于多个领域的高要求应用。 我们拥有超过10年研发经验的技术团队,不断创新提升产品质量,确保满足客户的需求。我们采用ISO质量管理体系,以确保产品达到最高标准。我们深知客户的独特需求,致力于建立长期合作关系。提供忠诚可靠的服务,为客户提供定制化解决方案,以满足其特定应用的需求。

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SI2302-HXY 参数:

属性参数值
产品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)55mΩ@4.5V,2.8A
功率(Pd)900mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)260pF@10V